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还在为复杂的双MOSFET布局和选型头疼吗？DMC4047LSD-13为您提供一站式高效解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道和P沟道MOSFET阵列，就像一个内置的功率开关组合，让您轻松实现紧凑电路设计下的高效能量控制。

它能让您做什么？它允许您直接使用微控制器的逻辑电平（低至2.4V阈值）来精准控制高达40V、7A的功率路径，极大简化驱动电路。其卓越的导通性能（低至24毫欧）意味着更低的导通损耗和发热，让您的电机驱动、电源转换或负载开关应用运行更凉爽、更高效。采用小巧的8-SOIC封装，它帮助您在节省宝贵PCB空间的同时，获得从-55°C到150°C的宽温可靠工作保障。

• 型号:DMC4047LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A，5.1A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.1nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMC4047LSD-13，Diodes产品一站式供应商。