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还在为复杂的电平转换和笨重的分立MOSFET方案烦恼吗？让ZXMC3A16DN8TC为您开启高效设计新篇章！这颗芯片集成了N沟道与P沟道MOSFET，采用逻辑电平门驱动，您可以直接用微控制器的低电压信号（最低1V阈值）轻松、精准地控制高达30V、4.9A的负载，彻底告别额外的驱动电路。

它为您带来的远不止简化。其超低的导通电阻（典型35mΩ）意味着更小的导通损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、能效更高。紧凑的8-SOIC封装为您节省宝贵的电路板空间，非常适合空间受限的便携式设备、电源管理和电机驱动应用。选择它，就是选择了一种让设计更简洁、性能更可靠、开发更高效的智能解决方案。

• 型号:ZXMC3A16DN8TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.9A，4.1A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:796pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.25W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMC3A16DN8TC，Diodes产品一站式供应商。