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还在为小空间内的电源或信号切换寻找最优解吗？DMP510DL-7就是您期待的那颗“全能型”P沟道MOSFET。它能为您做什么？核心就是两个字：控制与高效。凭借50V的漏源电压和180mA的连续电流能力，它能轻松胜任各种低功耗电路的负载开关、电源路径管理和信号隔离任务。

更令人心动的是，它让您的设计变得异常简单。仅需5V的驱动电压即可实现低至10欧姆的导通电阻，大幅降低开关损耗，提升整体能效。其微小的SOT-23封装，让您能在最紧凑的电路板上实现功能部署，而宽达-55°C至150°C的工作温度范围，则赋予了您的产品无惧环境挑战的稳健性能。选择它，就是为您的产品注入一颗高效、可靠的心脏。

• 型号:DMP510DL-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:24.6 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMP510DL-7，Diodes产品一站式供应商。