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DMG1023UV-7 零件图片(仅供参考)

DMG1023UV-7
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DMG1023UV-7 规格参数

还在为电路板空间紧张而发愁吗?DMG1023UV-7就是您的高效空间管理大师!这颗双P沟道MOSFET阵列,将两个逻辑电平门控的MOSFET集成在微小的SOT-563封装中,直接为您节省超过50%的PCB面积,让您的设计更加紧凑、精致。

它能让您轻松实现高效的负载开关和电源路径控制。凭借仅750毫欧的低导通电阻和1.03A的持续电流能力,它能显著降低功率损耗,提升系统能效,让您的便携设备续航更持久。同时,极低的栅极电荷让开关速度更快,驱动更简单,直接由您的MCU GPIO口即可轻松驾驭,大大简化了您的设计工作。

  • 型号:DMG1023UV-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-563
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.03A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):750 毫欧 @ 430mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):0.62nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):59.76pF @ 16V
  • 功率 - 最大值:530mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
  • 供应商器件封装:SOT-563
  • DMG1023UV-7,Diodes产品一站式供应商。
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DMG1023UV-7 基本参数:

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