我们为全球各个行业提供Diodes DMN15H310SK3-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能提升系统效率、简化驱动设计并确保长期可靠性的功率开关吗？DMN15H310SK3-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有150V的耐压和8.3A的电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅310mΩ）和栅极电荷（8.7nC），这能让您轻松实现更低的导通损耗和更高的开关频率，从而打造出更高效、更紧凑的电源或电机驱动方案。

更重要的是，它出身名门，属于Diodes的汽车级产品系列，通过了AEC-Q101认证。这意味着它从设计之初就秉承了车规级的严苛标准，能够在-55°C到155°C的极端温度范围内稳定工作，让您的产品在面对振动、高温等挑战时依然坚若磐石。无论是用于车载充电器、LED照明驱动还是其他需要高可靠性的工业应用，它都能让您信心十足。

• 型号:DMN15H310SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:310 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:405 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:32W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMN15H310SK3-13，Diodes产品一站式供应商。