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还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的P沟道MOSFET吗？DMG2301L-7正是您的理想答案。这颗采用紧凑SOT-23封装的芯片，能在高达20V的电压下轻松控制3A的连续电流，其超低的导通电阻（仅120毫欧@4.5V）能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它专为简化您的设计而生。极低的驱动电压要求（最低仅2.5V）和快速的开关特性，让您能轻松实现高效的负载开关和电源路径管理。无论是用于便携设备的电源开关，还是电池保护电路，DMG2301L-7都能提供稳定可靠的性能，助您打造出更节能、更紧凑的下一代电子产品。

• 型号:DMG2301L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:476 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG2301L-7，Diodes产品一站式供应商。