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您是否正在寻找一颗能扛起中低功率开关重任，且稳定可靠的“核心开关”？DMG4N60SK3-13正是您的理想选择。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有600V的高耐压和3.7A的电流处理能力，让您在设计开关电源、电机驱动或照明应用时，轻松应对主功率通断的挑战。

它采用先进的MOSFET技术，在10V驱动电压下具备优异的导通特性。其低栅极电荷和优化的输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，从而帮助您提升系统整体能效，减少热量产生。TO-252封装提供了良好的散热路径，确保芯片在-55°C至150°C的宽广结温范围内都能高效、稳定地工作，为您的产品长期可靠运行保驾护航。

• 型号:DMG4N60SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.3 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:532 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMG4N60SK3-13，Diodes产品一站式供应商。