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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题头疼吗？让DMJ70H1D3SI3来为您轻松化解！这颗N沟道MOSFET拥有700V的高耐压和4.6A的电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅1.3欧姆@10V），能显著减少导通时的功率损耗，直接提升您的系统整体效率，并降低温升。

它专为要求苛刻的开关应用而优化。极低的栅极电荷和输入电容让开关速度更快、损耗更小，配合10V的标准驱动电压，让您的驱动电路设计变得简单高效。无论是用于电源的初级侧开关、PFC电路，还是电机控制，它都能让您的设备运行更稳定、更节能。

采用坚固的TO-251封装，确保良好的散热和机械可靠性，宽达-55°C至150°C的结温工作范围，让您的产品无惧严寒酷暑的挑战。选择它，就是为您的功率设计选择了一份高效与可靠的承诺。

• 制造商产品型号：DMJ70H1D3SI3
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：700V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.6A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.3 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：13.9nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：351pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：41W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251
• DMJ70H1D3SI3，Diodes产品一站式供应商。