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还在为空间受限的设计寻找动力核心吗？DMN1014UFDF-7就是您的高效解决方案。这颗N沟道MOSFET能在微型封装内爆发巨大能量，让您的便携设备、电源模块轻松实现高达8A的电流控制，同时凭借低至16毫欧的导通电阻，大幅降低能量损耗和发热。

它专为2.5V至4.5V的驱动电压优化，开关迅速、响应灵敏，能显著提升您的DC-DC转换或负载开关电路的效率。其坚固的设计支持-55°C到150°C的极端温度，确保您的产品在各种环境下都稳定可靠。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:DMN1014UFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 8A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:515 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMN1014UFDF-7，Diodes产品一站式供应商。