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您是否正在寻找一颗能大幅提升开关电源效率，同时保持出色可靠性的核心器件？DMN10H170SFG-7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和高达8.5A的电流承载能力，其核心魅力在于极低的122毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

它专为高效开关而优化，极低的栅极电荷（14.9nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您轻松实现高频率、高功率密度的DC-DC转换器设计。同时，其坚固的构造和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了在各种严苛环境下的稳定表现。

无论是用于电源转换、电机驱动还是负载开关，DMN10H170SFG-7都能让您以更小的体积和更低的系统总成本，实现更强大的功率处理性能和更长的产品寿命，是工程师打造下一代高效能电子产品的理想选择。

• 型号:DMN10H170SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta），8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:122 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870.7 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN10H170SFG-7，Diodes产品一站式供应商。