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您正在寻找一颗能同时兼顾高压、高效与极小占板面积的开关管吗？DMN10H220LVT-7正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有100V的漏源电压和1.87A的连续电流能力，其核心魅力在于仅需4.5V驱动电压即可实现低至220毫欧的导通电阻，让您的电源转换电路损耗大幅降低，效率显著提升。

它采用先进的TSOT-26封装，体积小巧，能轻松融入您对空间要求严苛的便携式或嵌入式设计。更低的栅极电荷意味着更快的开关速度，帮助您优化高频应用下的性能。无论是用于负载开关、电机驱动还是DC-DC转换，它都能让您的系统运行得更冷静、更高效。选择它，就是选择了一份经过市场验证的可靠与高效。

• 型号:DMN10H220LVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• DMN10H220LVT-7，Diodes产品一站式供应商。