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还在寻找那颗能同时兼顾高效率与高可靠性的整流芯片吗？SBR3M30P1-7正是为您而来的解决方案。它采用先进的超级势垒整流技术，在通过3A电流时，正向压降仅为500mV，远低于普通肖特基二极管。这意味着它能显著降低导通损耗，让您的电源模块、电机驱动或LED驱动方案运行得更凉爽、更节能，直接提升终端产品的续航能力和稳定性。

这颗芯片拥有30V的反向耐压和快速的恢复特性，能轻松应对高频开关环境，确保系统高效、安静地运行。其采用小巧坚固的PowerDI123表面贴装封装，为您节省宝贵的PCB空间，非常适用于对功率密度要求严苛的现代电子设备。选择SBR3M30P1-7，就是选择用一颗芯片的力量，简化您的散热设计，优化系统效率，并最终让您的产品在市场中赢得性能优势。

• 型号:SBR3M30P1-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI 123
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SBR 30V 3A POWERDI 123
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:30 V
• 电流 - 平均整流 (Io):3A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 A @ 30 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:POWERDI123
• 供应商器件封装:PowerDI 123
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
• SBR3M30P1-7，Diodes产品一站式供应商。