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您是否正在寻找一颗能同时征服“高效率”与“小体积”两大设计高峰的MOSFET？DMN2011UFDE-7正是为您而来的解决方案。它集成了N沟道技术，拥有20V的耐压和高达11.7A的连续电流处理能力，核心优势在于其惊人的低导通电阻，能显著减少开关损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更节能。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松驾驭从负载开关、电机驱动到DC-DC转换等各种低压大电流场景。其优异的开关特性（低栅极电荷）确保快速响应，而紧凑的U-DFN封装则为您节省宝贵的PCB空间。选择它，就是为您的产品注入高效、可靠的核心动力，轻松应对性能与尺寸的双重挑战。

• 型号:DMN2011UFDE-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2248 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:610mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• DMN2011UFDE-7，Diodes产品一站式供应商。