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还在为空间有限的电路板寻找一颗既能承载大电流又足够小巧的功率开关吗？DMN2013UFDE-7正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有20V的耐压和高达10.5A的连续电流能力，其核心魅力在于仅11毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通时的功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它采用先进的U-DFN2020-6微型封装，能轻松嵌入各种紧凑型设计中，为您节省宝贵的PCB面积。同时，优化的栅极特性让驱动变得简单高效，帮助您轻松实现快速、干净的开关控制。无论是用于电源路径管理、负载开关还是电机驱动，它都能让您的系统效率迈上新台阶，是追求高性能与高密度设计的工程师的理想之选。

• 型号:DMN2013UFDE-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 8.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.8 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2453 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• DMN2013UFDE-7，Diodes产品一站式供应商。