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还在寻找一颗能兼顾大电流与小体积的“全能型”MOSFET吗？DMN2026UVT-13正是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有20V的耐压和高达6.2A的连续漏极电流，而其导通电阻在4.5V驱动下仅为24毫欧，这意味着它能以极低的损耗高效切换功率，显著减少发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。

得益于其低至1.5V的开启阈值和优化的栅极电荷，它能轻松被微控制器或低压逻辑电路直接驱动，简化您的设计。无论是用于电源路径管理、电机驱动，还是DC-DC转换中的同步整流，它都能让您轻松实现高效率和高功率密度。采用微型TSOT-26封装，它能为您的紧凑型设计节省每一毫米空间，是便携式设备、智能硬件和各类嵌入式应用的功率开关优选。

• 型号:DMN2026UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.4 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:887 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.15W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMN2026UVT-13，Diodes产品一站式供应商。