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还在为有限的PCB空间无法容纳足够的开关元件而烦恼吗？DMN5L06V-7双N沟道MOSFET阵列就是您的高密度集成解决方案。它能在超小的SOT-563封装内，为您提供两路独立的50V/280mA负载开关能力，让您轻松实现信号选通、负载切换或电平转换，极大节省宝贵的板级空间。

这颗芯片专为高效而生。其逻辑电平门控设计让您可以直接用微控制器的GPIO口（低至2.7V）轻松驱动，无需复杂的电平转换电路。同时，低至3欧姆的导通电阻意味着更低的功率损耗和更少的热量，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。无论是便携设备、传感器接口还是电源管理模块，它都能助您构建更紧凑、更高效的电路系统。

• 型号:DMN5L06V-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:50V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 200mA，2.7V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 25V
• 功率 - 最大值:150mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• DMN5L06V-7，Diodes产品一站式供应商。