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还在为空间受限的设计寻找一颗“小而强大”的电源开关吗？DMN2044UCB4-7正是为您量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET集高性能与微型化于一身，其仅1.0mm x 1.0mm的超小封装，让您轻松应对最紧凑的PCB布局挑战。

它拥有3.3A的强大电流处理能力和低至40毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的设备运行更高效、更凉爽。无论是用于便携设备的负载开关、电源管理，还是微型电机的精准驱动，它都能提供稳定可靠的性能，助您轻松提升终端产品的能效与可靠性。

• 型号:DMN2044UCB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1010-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 1.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:720mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1010-4
• 封装/外壳:4-UFBGA，WLBGA
• DMN2044UCB4-7，Diodes产品一站式供应商。