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您是否正在寻找一颗能同时兼顾高效能与微型封装的MOSFET，来点亮您的下一个创新设计？DMN2053UW-7正是为此而生。这颗N沟道MOSFET就像一个敏捷而强健的“电子开关”，它能轻松处理高达2.9A的电流，并以低至56毫欧的导通电阻，大幅降低开关过程中的能量损耗，直接为您提升系统效率，延长电池寿命。

它卓越的快速开关特性（低栅极电荷与输入电容），让它在高频DC-DC转换、电源路径管理和电机驱动等场景中表现出色，响应迅速，助力您的产品实现更优的动态性能。采用紧凑的SOT-323封装，它能完美融入空间受限的便携式设备、物联网模块及可穿戴产品中，让您的设计在保持小巧身形的同时，拥有强大的“心脏”。选择它，让您的产品轻松获得高效、可靠与紧凑的全面优势。

• 型号:DMN2053UW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:56 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:369 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:470mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMN2053UW-7，Diodes产品一站式供应商。