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还在寻找一颗能兼顾高效能与微型化的MOSFET吗？DMN2990UFO-7B正是为您而来！它能让您的便携式设备轻松实现更低的功率损耗和更长的续航，其超低的导通电阻与栅极电荷确保了开关动作既快速又节能。

这颗芯片能为您做什么？它就像一个高效、敏捷的“电子开关”，在您的智能手表、蓝牙耳机或物联网模块中，精准控制电流的通断，让电源管理变得无比高效。其表面贴装的超小封装，让您在设计时能最大化利用电路板空间，集成更多功能。

凭借20V的耐压和750mA的电流处理能力，结合宽广的工作温度范围，它让您的产品设计不仅紧凑，而且稳定可靠，轻松应对各种应用场景的挑战。

• 型号:DMN2990UFO-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0604-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):750mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.41 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:31 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:840mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN0604-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMN2990UFO-7B，Diodes产品一站式供应商。