我们为全球各个行业提供Diodes DMN3009LFVW-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又紧凑的核心开关器件吗？DMN3009LFVW-13正是您期待的答案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有30V/60A的强悍规格，其核心魅力在于低至5毫欧的导通电阻，能大幅削减导通损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高，直接提升终端产品的续航与可靠性。

它专为 demanding 的应用而优化，无论是同步整流、电机驱动还是高密度DC-DC转换，都能轻松胜任。其4.5V的低驱动电压让您能灵活搭配各类控制器，而PowerDI3333封装卓越的热性能和可润湿侧翼设计，则确保了大规模生产中的高可靠性与易制造性。选择它，就是选择了一个让设计更省心、性能更出众的解决方案。

• 型号:DMN3009LFVW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN3009LFVW-13，Diodes产品一站式供应商。