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还在为电源转换效率低下或开关损耗过大而困扰吗？DMN3009SK3-13正是为您量身打造的效率提升利器。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和高达80A的电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值5.5毫欧@10V），能显著降低导通损耗，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它能让您轻松实现高效的能量控制。得益于优化的栅极电荷（仅42nC）和快速的开关特性，它能帮助您的DC-DC转换器或电机驱动电路工作在更高频率，从而缩小磁性元件体积，实现更紧凑、更高效的电源设计。无论是提升电动工具的爆发力，还是确保服务器电源的稳定可靠，它都能胜任。

采用坚固的TO-252表面贴装封装，并支持-55°C至150°C的宽广工作结温，DMN3009SK3-13为您提供了在严苛环境下依然稳定工作的保障，是追求高性能与高可靠性设计的理想选择。

• 型号:DMN3009SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMN3009SK3-13，Diodes产品一站式供应商。