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还在为电路板上的功率开关选择而犹豫吗？让DMN3112S-7来为您分忧！这颗N沟道MOSFET就像一个高效、敏捷的“电子开关”，能在您的指挥下（仅需4.5V-10V的驱动电压），轻松控制高达5.8A的电流通断，而其自身的损耗却微乎其微（导通电阻仅57毫欧）。

这意味着，无论是用于电源路径管理、电机控制还是信号切换，它都能让您的系统运行得更凉爽、更高效，直接提升终端设备的能效表现。其微小的SOT-23-3封装，更能帮您节省宝贵的PCB空间，让设计更紧凑、更优雅。

• 型号:DMN3112S-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:57 毫欧 @ 5.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:268 pF @ 5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN3112S-7，Diodes产品一站式供应商。