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您正在寻找一颗能轻松驾驭低电压、小电流开关任务，同时具备卓越可靠性的微型MOSFET吗？DMN33D8LTQ-13正是为您量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和115mA的驱动能力，其核心价值在于极低的功耗与高效的开关性能。它能让您的便携设备、传感器模块或车载电子系统的电源管理部分运行得更安静、更凉爽，显著延长电池寿命并提升整体稳定性。

得益于仅2.5V的低驱动电压门槛和微小的栅极电荷，DMN33D8LTQ-13让您能够轻松地用微控制器或逻辑电路直接驱动，实现快速、干净的信号切换，大大简化了您的电路设计。其符合AEC-Q101标准的汽车级品质，确保它能在-55°C到150°C的严酷温度范围内稳定工作，为您产品的长期可靠性提供了坚实保障。选择它，就是选择了一种高效、省心且值得信赖的设计路径。

• 型号:DMN33D8LTQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 10mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:48 pF @ 5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:240mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• DMN33D8LTQ-13，Diodes产品一站式供应商。