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还在为电路板上密密麻麻的独立MOSFET占用了宝贵空间而头疼吗？DMN53D0LDW-13双N沟道MOSFET阵列，为您提供了一站式的微型化开关解决方案。它将两个50V/360mA的MOSFET集成在微小的SOT-363封装内，让您轻松实现双路负载的独立或同步控制，极大地节省了PCB面积。

这颗芯片专为低电压驱动场景优化，其逻辑电平门特性让您仅用微控制器的GPIO口（低至1.5V阈值）就能直接、高效地驱动它，彻底省去复杂的外围电路。极低的导通电阻和输入电容，意味着更低的功率损耗和更快的开关响应，让您的便携设备或物联网节点能效更高、反应更敏捷。选择它，就是选择用更简洁的设计，实现更强大的控制功能。

• 型号:DMN53D0LDW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:50V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):360mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:46pF @ 25V
• 功率 - 最大值:310mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN53D0LDW-13，Diodes产品一站式供应商。