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还在为电路板空间捉襟见肘而烦恼吗？DMN601VKQ-7双N沟道MOSFET阵列就是您的高效解决方案。它让您能在极其紧凑的SOT-563封装内，轻松获得两个性能独立的60V/305mA开关，显著简化您的电源管理和信号路径设计。

这颗芯片能为您做什么？它凭借低至2欧姆的导通电阻和2.5V的驱动阈值，确保开关动作快速、高效且损耗极低，直接提升您产品的能效与续航。无论是用于便携设备的负载切换，还是物联网模块的节能控制，它都能让您的系统运行更凉爽、更可靠。

• 型号:DMN601VKQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):305mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 25V
• 功率 - 最大值:250mW
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• DMN601VKQ-7，Diodes产品一站式供应商。