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还在寻找一颗能兼顾性能与尺寸的“全能型”功率开关吗？DMN6070SY-13正是为您而生的答案。这颗N沟道MOSFET能轻松处理高达60V的电压和4.1A的连续电流，其超低的85毫欧导通电阻（@10V）能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更高效、更凉爽。

它采用紧凑的SOT-89-3封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时凭借宽广的-55°C至150°C工作温度范围，确保在各种环境下稳定可靠。更低的栅极电荷让开关速度更快，驱动更轻松，是提升系统响应速度和整体能效的理想选择。选择它，就是为您的产品注入了强劲而高效的动力核心。

• 型号:DMN6070SY-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-89-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:588 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-89-3
• 封装/外壳:TO-243AA
• DMN6070SY-13，Diodes产品一站式供应商。