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还在寻找那颗能兼顾性能与尺寸的完美开关吗？DMN6140LQ-13正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和1.6A的持续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅140毫欧），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的设计更高效、更凉爽。

它采用经典的SOT-23封装，体积小巧，却能轻松应对从便携设备到电源模块的各种应用场景。优化的驱动特性（栅极电荷仅8.6nC）让您能够轻松实现快速、干净的开关控制，提升系统整体响应速度。选择它，就是为您的产品选择了可靠的能效基石。

• 型号:DMN6140LQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 1.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN6140LQ-13，Diodes产品一站式供应商。