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您正在设计需要高效、紧凑型开关解决方案的产品吗？DMN61D9UW-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET能轻松担当起电路中的关键开关角色，其60V的耐压和340mA的电流处理能力，让您在中低功率应用中游刃有余，为您的设计提供稳定可靠的核心保障。

更令人心动的是，它仅需1.8V的低电压即可高效驱动，完美适配现代低功耗微处理器，让您的系统设计变得异常简洁。极低的导通电阻和栅极电荷，意味着更少的能量损耗和更快的开关速度，直接助力您的产品提升能效，反应更迅捷。无论是便携设备、电池供电模块还是各种智能控制单元，选择它，就是选择了一条通往高性能与高可靠性的捷径。

• 型号:DMN61D9UW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):340mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:28.5 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMN61D9UW-13，Diodes产品一站式供应商。