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还在为电路板空间紧张而发愁吗？DMN63D8LDWQ-7双N沟道MOSFET阵列是您紧凑型设计的理想心脏。它将两个高性能30V MOSFET集成在微小的SOT-363封装内，让您轻松实现高密度布局，同时凭借低导通电阻和栅极电荷，显著降低功耗，提升开关效率。

这颗芯片能为您做什么？它让您精准控制小电流信号的切换，无论是便携设备的负载管理、信号通道选择，还是低功率开关电源应用，都能胜任。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在各种环境下的稳定运行，让您的产品设计更可靠、更耐用。选择它，就是选择了一种高效、节省空间且性能卓越的解决方案。

• 型号:DMN63D8LDWQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):220mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.87nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22pF @ 25V
• 功率 - 最大值:300mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN63D8LDWQ-7，Diodes产品一站式供应商。