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还在为电源路径上的功率损耗和散热问题头疼吗？DMNH4011SK3-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有40V的漏源电压和50A的强大电流处理能力，其核心魅力在于超低的10毫欧导通电阻（@10V, 50A）。这意味着它能以极高的效率导通大电流，显著减少能量损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。

它专为要求严苛的开关应用而优化。极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关响应，让您轻松实现高频高效的DC-DC转换、电机驱动或负载切换。采用坚固的TO-252表面贴装封装，并提供从-55°C到175°C的宽广工作温度范围，DMNH4011SK3-13能帮助您从容应对工业控制、汽车电子及消费类产品中的各种挑战，是提升产品能效与可靠性的理想选择。

• 制造商产品型号：DMNH4011SK3-13
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 40V 50A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：50A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 50A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：25.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1405pF @ 20V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.6W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252
• DMNH4011SK3-13，Diodes产品一站式供应商。