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您正在设计需要高效、可靠功率开关的汽车或工业产品吗？DMNH6011LK3-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有55V耐压和高达80A的电流处理能力，其核心魅力在于极低的12毫欧导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它不仅仅是一颗参数出色的晶体管，更是经过AEC-Q101认证的汽车级产品，确保在-55°C至175°C的极端温度下稳定工作，为您应对最严苛的环境挑战提供坚实保障。采用TO-252封装，兼顾了强大的散热能力与便捷的表面贴装工艺。选择它，就是为您的电机驱动、电源转换或负载开关应用，选择了一颗让您安心、助力性能提升的强大内核。

• 型号:DMNH6011LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO252 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:49.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3077 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMNH6011LK3-13，Diodes产品一站式供应商。