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还在为电源转换效率瓶颈和系统可靠性担忧吗？让DMNH6022SSDQ-13双N沟道MOSFET阵列成为您设计的强大心脏。这颗芯片能为您做什么？它凭借高达60V的耐压和7.1A的连续电流能力，轻松驾驭电机驱动、DC-DC转换等核心任务，其汽车级（AEC-Q101）品质确保即使在-55°C至175°C的极端温度下也能稳定运行，让您的产品无惧任何严苛环境挑战。

更令人惊喜的是，它极低的导通电阻（典型值27mΩ）能显著减少导通损耗，提升整体能效，同时优化的开关特性（Qg仅32nC）让您能设计出频率更高、体积更小的电源方案。选择它，就是选择了一条通往高效、可靠、紧凑化设计的捷径，让您的产品在性能和成本上双双赢得优势。

• 型号:DMNH6022SSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.1A，22.6A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32nC @ 30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2127pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.5W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMNH6022SSDQ-13，Diodes产品一站式供应商。