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您是否正在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的P沟道MOSFET？DMP1555UFA-7B正是您的理想之选。它专为空间受限的现代电子设备设计，让您轻松实现高效的负载开关与电源管理。

这颗芯片能在低至1.5V的驱动电压下高效工作，最大连续电流达200mA，并拥有极低的导通电阻，确保能量损耗最小化。其超小的DFN封装为您节省宝贵的电路板空间，同时宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）保障了在各种严苛环境下的稳定运行。

无论是用于便携设备、物联网模块还是精密控制电路，DMP1555UFA-7B都能以出色的可靠性和高效的性能，让您的产品设计更紧凑、更节能、更具竞争力。

• 型号:DMP1555UFA-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0806-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.84 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:55.4 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN0806-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMP1555UFA-7B，Diodes产品一站式供应商。