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您是否正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时节省电路板空间的P沟道MOSFET？DMP2010UFG-7正是为您而来的解决方案。它拥有惊人的9.5毫欧超低导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更持久。同时，高达12.7A的连续漏极电流承载能力，足以应对从便携设备到工业驱动的各种严苛需求。

这颗芯片采用先进的PowerDI3333-8封装，在提供强大功率处理能力的同时，保持了极小的占板面积，让您轻松实现更紧凑、更轻薄的终端产品设计。其宽工作温度范围和优异的栅极电荷特性，进一步确保了系统在各种环境下的稳定性和快速响应。选择DMP2010UFG-7，就是选择了一个高效、可靠的动力核心，让您的设计事半功倍。

• 型号:DMP2010UFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.7A（Ta），42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:103 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3350 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP2010UFG-7，Diodes产品一站式供应商。