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还在为寻找一颗既能承受大电流又足够小巧的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP2035UFDF-7就是您期待的答案。这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松驾驭高达8.1A的负载电流，同时凭借低至29毫欧的导通电阻，大幅减少功率损耗，直接提升您设备的整体能效和续航时间。

它采用先进的U-DFN2020-6超薄封装，为您节省宝贵的电路板空间，让设计更加灵活紧凑。无论是用于负载开关、电池保护还是电源路径管理，DMP2035UFDF-7都能以高效的性能和可靠的品质，确保您的系统运行稳定、响应迅速，助您轻松打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:DMP2035UFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 6.4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1808 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.03W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMP2035UFDF-7，Diodes产品一站式供应商。