还在为电路板上的空间捉襟见肘,却又需要强大的电源开关能力而头疼吗?DMP2100U-7正是为您解忧的利器。这颗P通道MOSFET能在仅SOT-23的微小身躯内,为您高效控制高达4.3A的电流,其低至38毫欧的导通电阻,意味着更少的能量以热量的形式浪费,直接让您的设备运行更凉爽、续航更持久。
它专为低电压驱动优化,仅需1.8V即可高效开启,让您能轻松兼容各种现代低压微控制器,简化驱动电路设计。无论是用于负载开关、电源路径管理还是电机控制,DMP2100U-7都能以卓越的开关速度和稳定的性能,确保系统响应迅捷、运行可靠。选择它,就是为您的产品选择了一份兼具高性能与高集成度的保障。
- 型号:DMP2100U-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):38 毫欧 @ 3.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):9.1 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):216 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):800mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- DMP2100U-7,Diodes产品一站式供应商。