我们为全球各个行业提供Diodes DMP2110UVT-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为复杂的双路开关电路占用大量板面而烦恼吗？DMP2110UVT-13为您提供了一站式解决方案！这颗集成了两个高性能P沟道MOSFET的阵列芯片，能让您轻松实现高效的负载开关、电源路径管理和信号切换。其出色的20V耐压和1.8A持续电流能力，足以应对大多数便携式和电池供电设备的严苛需求。

更令人惊喜的是，它拥有极低的导通电阻（仅150毫欧）和栅极电荷，这意味着更低的传导损耗和开关损耗，能显著提升您产品的整体能效，让电池续航更持久。其紧凑的TSOT-26封装，为您节省下宝贵的PCB空间，让设计更简洁、更优雅。选择DMP2110UVT-13，就是选择用一颗芯片的智慧，解决您双路控制的难题，让您的产品在性能和体积上双双赢得先机。

• 型号:DMP2110UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 2.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:443pF @ 6V
• 功率 - 最大值:740mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• DMP2110UVT-13，Diodes产品一站式供应商。