还在为复杂的电源管理电路占用大量板面而烦恼吗?DMP22D6UT-7为您提供简洁高效的解决方案。这颗P沟道MOSFET能轻松担当负载开关或信号路由器的角色,凭借其1.8V的低开启电压,让您能直接用微控制器的GPIO口进行高效驱动,简化设计,加速您的产品上市进程。
它能在高达20V的电压和430mA的电流下稳定工作,并以仅1.1欧姆的低导通电阻确保能量高效传输,减少功率损耗。其超小的SOT-523封装,为您节省下珍贵的PCB空间,特别适合可穿戴设备、便携式电子产品等对尺寸有严苛要求的应用。选择它,就是选择了一种让设计更紧凑、性能更可靠的智慧。
- 型号:DMP22D6UT-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-523
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):430mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.1 欧姆 @ 430mA,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):175 pF @ 16 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):150mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-523
- 封装/外壳:SOT-523
- DMP22D6UT-7,Diodes产品一站式供应商。