您是否正在寻找一颗能在高压环境下稳定工作,同时兼具高效能与迷你尺寸的MOSFET解决方案?DMP25H18DLFDE-7正是您的理想之选。这颗P沟道MOSFET拥有250V的高耐压和260mA的电流处理能力,其超低的导通电阻能显著减少功率损耗,让您的设备运行更凉爽、更持久。
它采用前沿的U-DFN2020-6微型封装,为您节省宝贵的电路板空间,轻松实现高密度设计。无论是用于电源开关、负载管理还是信号切换,DMP25H18DLFDE-7都能提供快速、可靠的性能,助您高效打造出更具市场竞争力的紧凑型电子产品。
- 型号:DMP25H18DLFDE-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:U-DFN2020-6(E 类)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 250V 260MA 6UDFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):250 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):3.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):14 欧姆 @ 200mA,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):2.8 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±40V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):81 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):600mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:U-DFN2020-6(E 类)
- 封装/外壳:6-PowerUDFN
- DMP25H18DLFDE-7,Diodes产品一站式供应商。