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还在为电源路径上的效率损失而烦恼吗？DMP3013SFV-7 P沟道MOSFET就是您的高效开关解决方案。它拥有30V的耐压和高达12A（Ta）/35A（Tc）的连续电流能力，其核心魅力在于极低的9.5毫欧导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的设备运行更凉爽，电池续航更持久。

这颗芯片专为让您的设计更轻松而生。优化的栅极电荷和开关特性，确保了在高频开关应用中的快速响应与低损耗，显著提升DC-DC转换器等电路的整机效率。同时，其采用散热性能优异的PowerDI3333-8小型化封装，帮助您节省宝贵的PCB空间，轻松实现高功率密度设计。

• 型号:DMP3013SFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta），35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1674 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP3013SFV-7，Diodes产品一站式供应商。