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还在为寻找一颗既能承受大电流又具备超低导通损耗的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP3015LSS-13正是为您的高效设计而生。它能轻松处理高达13A的连续电流，凭借低至11毫欧的导通电阻，显著降低导通状态下的功率损耗和发热，让您的电源管理模块运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能让您轻松实现快速的负载开关和精准的电源路径控制。其优化的栅极电荷和电容特性，确保了出色的开关速度，减少转换损耗，特别适合电池供电设备、电机驱动等对效率敏感的应用。采用紧凑的8-SOP封装，它为您节省宝贵的电路板空间，同时宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）提供了极高的可靠性保障。

• 型号:DMP3015LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 13A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2748 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMP3015LSS-13，Diodes产品一站式供应商。