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还在寻找一颗能同时兼顾高效率、小体积和强驱动能力的功率开关吗？DMP3026SFDF-13正是您期待的答案。这颗P沟道MOSFET能为您做什么？它能以极低的导通电阻（19毫欧）和出色的栅极电荷特性，让您的电路开关动作更快、损耗更小，从而显著提升系统整体能效，无论是延长电池寿命还是降低散热需求，都变得轻而易举。

凭借30V/10.3A的稳健规格，它能让您轻松驾驭从负载开关、电源路径管理到电机控制等多种应用场景。其紧凑的U-DFN封装为您节省宝贵的板级空间，而宽广的工作温度范围则确保了在各种环境下的可靠运行。选择它，就是选择了一种高效、可靠且易于设计的功率解决方案，让您的产品开发之旅更加顺畅。

• 型号:DMP3026SFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1204 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMP3026SFDF-13，Diodes产品一站式供应商。