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还在为电源路径控制寻找一颗“得力干将”吗？DMP3035LSS-13正是您期待的答案。这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，拥有30V的耐压和高达11A的连续电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅16毫欧@10V），能显著减少导通损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它专为高效开关而优化，较低的栅极电荷确保了快速的开启与关断，帮助您轻松提升系统的整体能效。无论是用于电池保护、负载开关还是电机控制，其坚固的设计和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）都能提供可靠的性能保障。选择它，就是为您的设计注入高效与稳定的双重动力。

• 型号:DMP3035LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1655 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMP3035LSS-13，Diodes产品一站式供应商。