还在为复杂的电源开关设计头疼吗?DMP3065LVT-13就是您的高效解决方案!这颗P沟道MOSFET就像一个反应迅速、损耗极低的智能开关,能轻松帮您控制电路中的电流通断。其30V的耐压和5.1A的持续电流处理能力,让它在便携设备、电池管理等场景中游刃有余。
它的核心魅力在于“高效”与“省心”。极低的导通电阻意味着电流通过时产生的热量更少,电能浪费大幅降低,直接助力您的产品提升续航、运行更凉爽。同时,TSOT-26的超小型封装为您节省了宝贵的电路板空间,让设计更紧凑、产品更轻薄。选择它,就是选择了一种让电源管理更简单、更可靠的智慧方式。
- 型号:DMP3065LVT-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TSOT-26
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 5.1A TSOT-26
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.1A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):42 毫欧 @ 4.9A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):20 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):880 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.2W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TSOT-26
- 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- DMP3065LVT-13,Diodes产品一站式供应商。