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还在为寻找一颗既能扛大电流、又拥有超低损耗的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP4013SPS-13正是为您而来的解决方案。它集40V耐压、11A连续电流输出能力于一身，凭借低至15毫欧的导通电阻，能显著降低您系统中的传导损耗，直接提升整体能效，让设备运行更凉爽、更持久。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的负载开关、电源路径管理和DC-DC转换电路设计变得前所未有的高效与紧凑。其优化的开关特性（栅极电荷仅67nC）确保了快速的响应，减少开关损耗；宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）则提供了坚实的可靠性保障。采用小巧的PowerDI5060-8表面贴装封装，它帮助您轻松实现高功率密度设计，节省宝贵的PCB空间。

• 型号:DMP4013SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 11A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta），61A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:67 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4004 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMP4013SPS-13，Diodes产品一站式供应商。