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还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的P沟道MOSFET吗？DMP56D0UFB-7正是为您量身打造的解决方案。它能为您高效、可靠地完成负载开关、电源隔离及信号切换等关键任务，其50V的耐压和200mA的电流处理能力，让您在紧凑设计中也能拥有充沛的功率控制空间。

这颗芯片能让您的设计工作变得异常轻松。得益于仅2.5V的低驱动电压和优异的导通电阻，它能显著降低开关损耗和驱动复杂度，直接提升系统能效。同时，其超小的3DFN封装为您节省下宝贵的PCB面积，让产品设计更纤薄、更精巧。无论是追求长续航的便携设备，还是空间受限的嵌入式应用，它都能助您一臂之力。

• 型号:DMP56D0UFB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.58 nC @ 4 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50.54 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:425mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
• DMP56D0UFB-7，Diodes产品一站式供应商。