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还在为空间有限的电路板寻找高效、可靠的电源开关解决方案吗？DMP56D0UV-7双P沟道MOSFET阵列，正是为您破解设计难题而生的利器。它能让您轻松实现低电压驱动下的精准电源管理，其逻辑电平门特性可直接对接微处理器，省去繁琐电路，让您的设计更简洁、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它凭借仅1.2V的低开启阈值和最高50V的耐压能力，让您能在各类便携式电子、IoT设备及工业模块中，安全、高效地控制电源通断与信号路径切换。其极低的导通电阻与栅极电荷，显著减少了开关损耗和热量产生，直接助力提升终端产品的整体能效与电池续航时间。选择它，就是选择了一种在微型SOT-563封装内集成高可靠性与卓越性能的智慧方案，助您的产品在市场中赢得先机。

• 型号:DMP56D0UV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:50V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.58nC @ 4V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50.54pF @ 25V
• 功率 - 最大值:400mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• DMP56D0UV-7，Diodes产品一站式供应商。