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还在寻找那颗能兼顾大电流、低损耗与高可靠性的“全能型”MOSFET吗？DMPH3010LPSQ-13正是为您而来的解决方案。它是一款30V、60A的P沟道MOSFET，其核心魅力在于超低的7.5毫欧导通电阻，能显著减少开关及导通状态下的功率损耗，直接为您带来更高的系统效率和更低的温升。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭汽车电源管理、电机驱动、负载开关等高要求应用。其坚固的PowerDI5060-8封装和宽广的-55°C至175°C工作结温，确保了在恶劣环境下的稳定表现。更低的栅极电荷和驱动电压，让您的驱动电路设计更简单、更高效。选择它，就是为您的产品注入高效、可靠的核心动力。

• 型号:DMPH3010LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 60A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:139 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6807 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMPH3010LPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。