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还在为电路中的功率开关效率低下、发热严重而头疼吗？DMPH6250SQ-13正是为您而来的高效解决方案！这颗P沟道MOSFET拥有60V的坚固耐压和2.4A的强大电流处理能力，其核心魅力在于低至155毫欧的导通电阻，能显著减少导通时的功率损耗，让您的设备运行更凉爽、能效更高。

它采用微小的SOT-23封装，却蕴含着巨大的能量。极低的栅极电荷（仅8.3nC）让开关速度飞快，轻松应对高频应用场景，同时宽广的-55°C至175°C工作温度范围，赋予了它应对严酷环境的卓越可靠性。无论是用于负载开关、电源路径管理还是电机驱动，它都能让您的设计更紧凑、性能更稳定。

选择DMPH6250SQ-13，就是选择用一颗芯片同时实现高效率、高可靠性和高空间利用率，让您的产品在激烈的市场竞争中轻松赢得先机。

• 型号:DMPH6250SQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:155 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:512 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:920mW
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMPH6250SQ-13，Diodes产品一站式供应商。