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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？DMT10H015LPS-13正是您期待的解决方案。这颗100V N沟道MOSFET，凭借其惊人的低导通电阻（最低仅16毫欧），能显著降低您电路中的传导损耗，让电能传输更高效，直接帮助您的产品实现更低的温升和更高的能效等级。

它能让您轻松驾驭高达7.3A的连续电流，并以其优化的开关特性（栅极电荷仅33.3nC）确保快速响应，减少开关损耗。无论是用于设计紧凑高效的DC-DC转换器、驱动电机，还是作为智能负载开关，它都能提供稳定可靠的性能。其坚固的设计（支持±20V Vgs，工作温度范围-55°C至150°C）和易于贴装的PowerDI5060封装，让您能够从容应对各种严苛应用，大幅提升最终产品的市场竞争力。

• 型号:DMT10H015LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Ta），44A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta），46W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT10H015LPS-13，Diodes产品一站式供应商。